等离子增强化学气相沉积 (新用户首单免费测试)
200-500
3个工作日
等离子化学气相沉积氧化硅薄膜 高校/研究院所
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椭偏仪 PECVD
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  • Oxford Instruments
  • PlasmaPro System800 Plus
  • 氧化硅、氮化硅沉积,采用椭偏仪测量薄膜厚度、折射率
  • 薄膜厚度100-800nm,检测用的波长是633nm
  • 椭偏仪、PECVD
服务特色

采用PECVD在350℃以下沉积氧化硅、氮化硅,
Deposition Temperature typically 300-350℃
均匀性±1%,重复性±1%,氧化硅折射率1.46,氮化硅折射率2.0 @633nm
应力小,耐腐蚀。

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