等离子增强化学气相沉积 (新用户首单免费测试) | |||
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200-500元 | |||
3个工作日 | |||
等离子化学气相沉积氧化硅薄膜 | 高校/研究院所 | ||
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椭偏仪
PECVD
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采用PECVD在350℃以下沉积氧化硅、氮化硅,
Deposition Temperature typically 300-350℃
均匀性±1%,重复性±1%,氧化硅折射率1.46,氮化硅折射率2.0 @633nm
应力小,耐腐蚀。
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